金相显微镜价格 生物显微镜价格 体视显微镜价格

金相显微镜-显微镜

本站搜索

表面粗糙度-非接触式量测,且透过反複的量测

信息分类:生命科学资讯    作者:YIYI发布 

分割线

返回上一级目录
量测的表面粗糙度-非接触式量测,且透过反複的量测

PIN结构成像
当高品质附生层(epitaxial layer)成长于生产品质基板(production-quality substrate)上时,在与沉积平台比较(underlying platform)相比较之表面特性,发现高品质附生层其成长过程仅能允许些微的变化。举例来说,总厚度5mm的InP/InGaAs/InP PIN(P-type-Intrinsic-N-type)结构的表面粗糙度须非常接近其基板的粗糙度等级(图三a)。粗糙度较好的表面可藉由维持稳定的生长条件来形成,而成长条件则必须被要求且小心地在有限的选择范围内调整。然而,若磊晶条件有任何异常变动或选用次等的基板,都可能降低表面品质及增加表面粗糙度(图三b)。
白光干涉仪也可以详细地揭露具高应变材料的表面结构。举例来说,将InGaAs PIN结构成长在InP基板上,透过白光干涉仪即可发现松散且晶格不匹配的长波长(2.2mm)正交特征(orthogonal feature)。

直接量化来比较AFM及白光干涉术所量测的表面粗糙度优劣是困难的。两个技术皆有自己的优缺点,且根据所量测不同尺寸的横向面积,两项技术皆能表现属于该技术上最好的量测结果。举例来说,本文所提及的白光干涉量测法已经可以量测超过280 x 280mm面积,而标准的AFM量测法所量测的最大面积为50 x 50mm,相较之下,两者可量测面积约差30倍。另外,两种方法皆有不同的横向解析度、数据分析技术及滤光技术(filtering technique),真要严格比较就显的非常複杂。
儘管两种量测技术皆有一些缺点,但我们发现使用同调相关干涉(coherence correlation interferometry, CCI)技术的白光干涉量测法与AFM量测法来排列半导体样品的等级时,两种量测法在0.1 nm-1.5 nm区间的粗糙度有非常吻合的一致性(图四)。因为CCI量测法不同于AFM量测法,是属于完全非接触式量测,且透过反複的量测也可以验证其量测再现性。这些量测法随着时间的见证,已经变的非常可靠,目前拥有产品化价值(production-worthy)技术的产品需有0.15 nm的平均粗糙度,且其误差仅能在?.01 nm内。
这个稳定的结果将使白光干涉仪相当适合无尘室生产环境,且相较于同为高解析的AFM而言,白光干涉量测法更能符合较快速及非接触式的目的。

本文由出自上海光学仪器厂,转载请注明