使用SEM电子显微镜量测焊接熔深的微观结构
信息分类：生命科学资讯 作者:YIYI发布
使用SEM电子显微镜量测焊接熔深的微观结构
制程参数对微流道热影响区之影响
利用 SEM电子显微镜 所拍摄典型的微流道热影响区金相图，
颜色较暗处为其热影响区
有制程条件下，微流道热影响区纵深范围均约 50μm，误差±5μm。
可知，雷射淬火产生的变形相当小，因为它是高能量热源的移动淬火，
热影响区比普通淬火方法小得多；另外将雷射作用于工件之试验
区时，由于基材的质量远大于工件之试验区，使工件
试验区急遽冷却，属于自冷淬火，亦将导致工件变形
量极小且热影响区较小。
虽然其制程条件不同，但在所设定的制程条件下，其所
供给的热能决大部份是用于将硅芯片直接汽化，导致
其微流道宽度与深度的差异。而对于其剩馀的热能所
引起的热影响区则无明显之差异。因此，微流道热影
响区在各制程参数下，其影响的变化差异并不明显
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