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碳化硅内杂质不是均匀分布的,对碳化硅作光谱分析

信息分类:生命科学资讯    作者:YIYI发布 

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碳化硅内杂质不是均匀分布的,对碳化硅作光谱分析


诱导活化物的收集

  进行了几个实验以测定整个装置内诱导活化物的分布情况,一
个试验发现80-85%活化仍然留在反应管中,只有15-20%在捕集器
中发现,另一个试验,分解了含有大部分的碳化硅辐照样品,然
后在装置的各部位检查,发现占总活化物的60%仍然在反应2寸内
留下,81%留于反应管内,在这些实验的基础上利用下述的步骤

  应用浓氩氟酸彻底地腐蚀包括皿在内的燃烧装置没的部分,将
腐蚀溶液和捕集器溶液一起放在铂皿内,用氩氟酸数次蒸发至干
发使活化硅成为四氟化硅而去除,残余物以6N盐酸溶解,然后转
移至100毫升容量瓶内。从容量瓶内取适当的能整除容积数的溶
液作各种分析之用。

  碳化硅内杂质不是均匀分布的,对于现在进展状况下制得的碳
化硅,在分析中发现矛盾是可以资料的,这已由研究所对碳化硅
作光谱分析而得出结果,可以看到活化分析的结果基本上是和光
谱分析法结果符合。

  虽然这里分析的样品其杂质是在p.p.m范围之内,可以看到的
是在更低的浓度下也能测定的。
  此方法也能够容易地扩大应用到其他许多元素,其灵敏度胜过
光谱方法灵敏度几个数量级。

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